**碳化硅（SiC）产品介绍**  

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### **一、材料概述**  

碳化硅（Silicon Carbide, SiC）是一种由硅（Si）和碳（C）组成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，具有金刚石型晶体结构，兼具宽禁带、高导热、高击穿场强、耐高温和抗辐射等优异特性，被誉为“第三代半导体材料”的典型代表。  

- **关键特性**：  

  - **宽禁带**（3.2 eV，约为硅的3倍），支持高温、高频、高压工作环境。  

  - **高热导率**（4.9 W/cm·K），散热能力远超硅（Si）和砷化镓（GaAs）。  

  - **高击穿场强**（2.8 MV/cm，约为硅的10倍），器件耐压能力***提升。  

  - **高电子饱和漂移速度**（2×10? cm/s），适合高频开关应用。  

  - **化学稳定性**：耐腐蚀、耐高温氧化（工作温度可达600°C以上）。  

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### **二、核心优势**  

1. **高效节能**  

   SiC器件（如MOSFET、二极管）导通电阻低、开关损耗小，可提升系统效率5%~10%，适用于高功率密度场景。  

2. **高温稳定性**  

   在200°C以上高温环境下性能稳定，减少散热系统复杂度及成本。  

3. **高频操作能力**  

   支持MHz级高频开关，缩小被动元件（电感、电容）体积，助力设备小型化。  

4. **高可靠性**  

   抗辐射、抗浪涌冲击，寿命远超传统硅基器件。  

5. **绿色环保**  

   降低能源转换损耗，减少碳排放，契合碳中和目标。  

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### **三、典型应用场景**  

1. **电力电子与新能源**  

   - **电动汽车（EV）**：  

     - 车载充电器（OBC）、电机驱动逆变器，提升续航里程10%~15%。  

     - 快充桩：支持800V高压平台，实现超高速充电。  

   - **光伏/储能**：  

     - 光伏逆变器、DC-DC变换器，提高太阳能转换效率。  

2. **工业与能源**  

   - **智能电网**：高压直流输电（HVDC）、固态变压器（SST）。  

   - **工业电机驱动**：变频器、伺服控制器，降低能耗与噪音。  

3. **轨道交通**  

   - 牵引变流器、辅助电源系统，适应高温、振动严苛环境。  

4. **航空航天与*****  

   - 飞机电源管理、雷达系统、卫星电源，满足高可靠性需求。  

5. **消费电子与通信**  

   - 5G基站电源模块、数据中心服务器电源，提升能效比。  

   - 快充适配器：支持GaN+SiC组合，实现超小体积百瓦快充。  

6. **光电子领域**  

   - LED照明：作为GaN外延衬底，提升发光效率与寿命。  

   - 紫外探测器：用于火焰监测、生化分析。  

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### **四、技术参数（示例）**  

| 参数                | 典型值（4H-SiC）          |  

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| 禁带宽度（eV）       | 3.2                       |  

| 热导率（W/cm·K）     | 4.9                       |  

| 击穿场强（MV/cm）    | 2.8                       |  

| 电子迁移率（cm?/V·s）| 900                       |  

| 工作温度（℃）    | >600                      |  

| 晶圆尺寸            | 4英寸、6英寸、8英寸（量产中） |  

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### **五、产品形态与定制化服务**  

- **衬底与外延片**：4H-SiC单晶衬底、SiC外延片（厚度与掺杂浓度可调）。  

- **功率器件**：SiC MOSFET、SBD（肖特基二极管）、功率模块。  

- **光电子器件**：SiC基GaN LED外延片、紫外传感器。  

- **定制化支持**：  

  - 晶向与晶面：偏轴（4° off-axis）或准同质外延。  

  - 掺杂类型：N型、P型、半绝缘型。  

  - 封装形式：TO-247、DFN、模块化封装。